EDRAM的问题在于它是一个具体的概念，但同时又涉及面很广。 因此，它在整个历史上的用法是如此不同，以全新的方式推广了不同的芯片。
因此，有必要解释它的确切含义以及它如何帮助Intel和AMD进行3D封装。
EDRAM：一种非常特殊且用途广泛的存储器
EDRAM 是的缩写 增强型动态随机存取存储器 ，翻译成 增强型动态随机存取存储器 。 它具有根据不同芯片而具有极高吸引力的特性，因为它不仅能够像这样容纳某种类型的存储器，而且还涵盖了更广泛的存储器概念。 内存.
这意味着我们可以从中了解EDRAM SRAM 内存到某些类型的缓存。 但是，它们都遵循相同的模式：将内存添加到PCB上，并添加到PCB的外部。 中央处理器 以及两者都可以访问的iGPU。
因此，根据所使用芯片的类型，制造商可以选择不同类型的存储器和访问方式。 从逻辑上讲，它具有访问时间的问题，因为它不是同一裸片本身的一部分，但是当需要缓冲区类型或扩展高速缓存的大小时，如果它的大小和寄存器很宽，则是一个非常有用的选择，可以将损失降到最低。 。
中间步骤进入系统RAM
根据定义，EDRAM是一种存储器，可以充当系统主存储器的中介。 随着纳米级的减少，这种类型的存储器已被废弃，但是 3D堆叠 以及HBM可以容纳的筹码数量可能会像这样回来，双方都可以访问的缓冲区。
为此，Intel和AMD都必须在其IC和IMC方面遇到严重麻烦，因为需要一个中间驱动控制器来调节访问。
这是我们在诸如 PS2，Wii U， 的Xbox 一个 甚至英特尔 Haswell的 ，因此在不同情况下使用它可能非常有价值，从而由于各种体系结构原因而提高了性能或限制了限制。
最后，由于EDRAM必须以最小的等待时间支持带宽，并且需要刷新率作为系统RAM的公用单元，因此EDRAM的制造成本相当昂贵。
因此，它及其IC的设计对于简化其外部的流程，使其成为一个独立的部分并可以从系统的不同部分进行访问至关重要。